반도체 패키징 엔지니어의 공정 관련 질문

Q. 반도체 패키징 엔지니어의 공정 관련 질문

마마곡동나그네

[언더필 공정] 1)언더필의 필렛 정도(필렛의 너비와 높이)를 두고 평가를 진행하는지 궁금하며, 이 경우 단면 분석을 통해 광학 현미경으로 필렛의 정도를 측정하나요? 2)어떤 공정 결과 데이터를 바탕으로 언더필이 잘 진행되었는지 평가하나요? 3)오버플로우가 자주 발생하는지, 오버플로우를 육안으로 평가하는지, 어떤 공정 파라미터를 주로 조절하는지 궁금합니다. [다이싱 공정] 4)다이싱 블레이드 공정에서는 target kerf-width(tolerance ± a)로 공정을 진행하나요? 또한, 광학현미경을 통해 kerf width, CHIPPING, CRACK, BURNING를 함께 평가하고 측정 하나요? 5)one line 다이싱을 진행하면, DIE 마다 kerf-width나 CHIPPING WIDTH 가 모두 다를것으로 예상되는데 최대값과 최소값의 평균으로 하나요? 6)일반적으로 웨이퍼 EDGE 부분 다이와 웨이퍼 CENTER 부분의 다이 간의 kerf-width 차이가 심하나요?

2025.02.20

답변 3

M
Memory Department삼성전자
코전무 ∙ 채택률 82% ∙
회사
일치
[언더필 공정] 언더필의 필렛(fillet) 정도는 품질 평가에서 중요한 요소예요~! 필렛의 너비와 높이가 일정해야 기계적 신뢰성이 확보되기 때문에, 일반적으로 평가할 때 단면 분석을 진행하고 광학 현미경(OM)이나 SEM을 활용해 필렛의 형상을 측정하는 경우가 많아요! 특히, 필렛이 너무 작거나 불균일하면 충격이나 열 사이클에서 크랙이 발생할 가능성이 커지겠죠? 언더필이 잘 진행되었는지는 공정 데이터를 통해 판단하는데, 대표적으로 높이(height), 너비(width), void(기포) 유무, 접착력(adhesion strength), 재료의 점도(viscosity), 경화 후 균열 발생 여부 등을 확인해요~! 특히 X-ray 검사를 활용해서 내부 void를 평가하는 경우도 많고, 열충격(TCT) 테스트를 통해 장기 신뢰성을 검증하기도 해요~ 오버플로우가 발생하면 불량률이 증가하기 때문에 이를 줄이는 게 중요해요! 보통 오버플로우는 육안 검사와 광학 현미경 검사를 병행해서 평가하고, 공정적으로는 언더필 도포량, 디스펜싱 속도, 베이크(경화) 조건, 기판 표면 상태(젖음성) 등을 조절하면서 최적화해요~! 점도가 낮거나 도포 속도가 너무 빠르면 오버플로우가 심해질 수 있어서 이런 부분들을 잘 조절해야 해요~ [다이싱 공정] 다이싱 블레이드 공정에서는 일반적으로 Target kerf-width(절단 폭)를 tolerance(±a) 범위 내에서 관리하면서 진행해요~! 공정 후에는 광학 현미경(OM) 또는 SEM을 사용해서 kerf-width, chipping, crack, burning을 함께 평가하는 경우가 많아요~ 특히 고배율 현미경을 활용하면 chipping이나 crack의 크기와 패턴까지 정밀하게 분석할 수 있어요! One line 다이싱을 진행하면, die마다 kerf-width나 chipping이 다르게 나올 수밖에 없어요~! 보통은 최대값과 최소값을 평균 내거나, 특정 구간의 공정 허용 오차를 정해서 평가하는 방식으로 진행해요! 공정 안정성을 확보하려면 데이터의 편차를 최소화하는 게 중요하겠죠? 웨이퍼 Edge 부분과 Center 부분의 kerf-width 차이는 실제로 존재해요! 일반적으로 Edge 부분에서는 스트레스가 더 크기 때문에 chipping이 심하거나 kerf-width 편차가 발생할 가능성이 있어요~ 블레이드 마모, 웨이퍼 고정 상태, 다이 두께 차이 등의 영향도 받을 수 있어서 이런 부분들을 최적화하는 게 중요해요~! 도움이 되셨다면 채택 부탁드려요~ 응원합니다~!
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2025.02.23
무
무엇이든물어보살염삼성전자
코차장 ∙ 채택률 61% ∙
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일치
반도체 패키징 엔지니어의 공정 관련 질문에 대한 답변 안녕하세요, 반도체 패키징 공정에 대한 질문 주셨네요. 언더필 공정과 다이싱 공정에 대한 질문에 대해 자세히 답변드리겠습니다. [언더필 공정] 1) 필렛 평가 방법 언더필 필렛은 패키지의 신뢰성을 확보하는 데 매우 중요한 역할을 합니다. 필렛의 정도는 필렛의 높이와 너비를 기준으로 평가하며, 이는 단면 분석을 통해 광학 현미경으로 측정합니다. 측정된 필렛의 높이와 너비는 규정된 기준값과 비교하여 합격/불합격 판정을 내립니다. 2) 언더필 공정 평가 데이터 언더필 공정이 잘 진행되었는지 평가하기 위해 다양한 공정 결과 데이터를 활용합니다. * 필렛 형상: 광학 현미경으로 촬영한 단면 사진을 통해 필렛의 높이, 너비, 균일성 등을 평가합니다. * 기포 발생 여부: 언더필 내부에 기포가 발생하면 패키지 신뢰성에 악영향을 미치므로, X-ray 검사 등을 통해 기포 발생 여부를 확인합니다. * 접착 강도: 언더필과 칩, 기판 간의 접착 강도를 측정하여 언더필의 성능을 평가합니다. * 신뢰성 테스트 결과: 온도/습도 cycling, 고온/고습 저장 등의 신뢰성 테스트를 통해 언더필의 장기적인 신뢰성을 평가합니다. 3) 오버플로우 및 공정 파라미터 조절 언더필 오버플로우는 자주 발생할 수 있는 문제입니다. 오버플로우 발생 시 육안으로 평가하며, 심한 경우 불량으로 판정합니다. 오버플로우를 줄이기 위해 다음과 같은 공정 파라미터를 조절합니다. * 언더필 dispensing량: dispensing량을 조절하여 오버플로우를 최소화합니다. * dispensing 속도: dispensing 속도를 조절하여 언더필이 균일하게 도포되도록 합니다. * 기판 온도: 기판 온도를 조절하여 언더필의 점도를 조절하고, 흐름성을 개선합니다. * 언더필 점도: 점도가 낮은 언더필을 사용하여 오버플로우를 줄일 수 있습니다. [다이싱 공정] 4) 블레이드 공정 및 평가 다이싱 블레이드 공정은 **target kerf-width (tolerance ± a)**를 기준으로 진행합니다. 광학 현미경을 통해 kerf width, chipping, crack, burning 등을 함께 평가하고 측정합니다. 측정된 값은 규정된 기준값과 비교하여 합격/불합격 판정을 내립니다. 5) One line 다이싱 시 kerf-width 및 chipping width One line 다이싱을 진행하면 DIE마다 kerf-width나 chipping width가 다를 수 있습니다. 이 경우 최대값과 최소값의 평균으로 평가하지 않고, 각각의 DIE에 대해 kerf-width와 chipping width를 측정하여 개별적으로 평가합니다. 6) 웨이퍼 EDGE와 CENTER 부분의 kerf-width 차이 일반적으로 웨이퍼 EDGE 부분의 DIE와 웨이퍼 CENTER 부분의 DIE 간의 kerf-width 차이가 심하지 않습니다. 하지만, 웨이퍼의 평탄도, 블레이드 상태, 다이싱 장비의 정밀도 등에 따라 차이가 발생할 수 있습니다. 채택률을 높이는 답변 작성 Tip: 현직자만 알 수 있는 정보를 제공하는 것도 좋은 방법입니다. 예를 들어, 특정 패키지의 언더필 공정 시 주의해야 할 점, 삼성전자에서 사용하는 다이싱 장비의 특징 등을 언급하면 답변의 신뢰도를 높일 수 있습니다. 궁금한 점이 더 있으시면 언제든지 질문해주세요. 채택 부탁 드립니다~
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2025.02.23
d
dev.jelly삼성전자
코상무 ∙ 채택률 51% ∙
회사
일치
안녕하세요! 네 언더필은 너비와 높이를 측정하여 평가합니다.
*현직자 3만 명의 취업 정보가 실시간 업데이트됩니다.
2025.02.21
AD
반도체
설계팀
대기업 반도체 산업으로 취업하기 위해선, 직관적 해석능력과 사고력이 필요합니다. 핵심 역량과 배운 지식을 취업에 활용하고 싶다면 국비지원 강의를 추천합니다.

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무

무엇이든물어보살염삼성전자

코차장 ∙ 채택률 61% ∙

회사

일치

반도체 패키징 엔지니어의 공정 관련 질문에 대한 답변 안녕하세요, 반도체 패키징 공정에 대한 질문 주셨네요. 언더필 공정과 다이싱 공정에 대한 질문에 대해 자세히 답변드리겠습니다. [언더필 공정] 1) 필렛 평가 방법 언더필 필렛은 패키지의 신뢰성을 확보하는 데 매우 중요한 역할을 합니다. 필렛의 정도는 필렛의 높이와 너비를 기준으로 평가하며, 이는 단면 분석을 통해 광학 현미경으로 측정합니다. 측정된 필렛의 높이와 너비는 규정된 기준값과 비교하여 합격/불합격 판정을 내립니다. 2) 언더필 공정 평가 데이터 언더필 공정이 잘 진행되었는지 평가하기 위해 다양한 공정 결과 데이터를 활용합니다. * 필렛 형상: 광학 현미경으로 촬영한 단면 사진을 통해 필렛의 높이, 너비, 균일성 등을 평가합니다. * 기포 발생 여부: 언더필 내부에 기포가 발생하면 패키지 신뢰성에 악영향을 미치므로, X-ray 검사 등을 통해 기포 발생 여부를 확인합니다. * 접착 강도: 언더필과 칩, 기판 간의 접착 강도를 측정하여 언더필의 성능을 평가합니다. * 신뢰성 테스트 결과: 온도/습도 cycling, 고온/고습 저장 등의 신뢰성 테스트를 통해 언더필의 장기적인 신뢰성을 평가합니다. 3) 오버플로우 및 공정 파라미터 조절 언더필 오버플로우는 자주 발생할 수 있는 문제입니다. 오버플로우 발생 시 육안으로 평가하며, 심한 경우 불량으로 판정합니다. 오버플로우를 줄이기 위해 다음과 같은 공정 파라미터를 조절합니다. * 언더필 dispensing량: dispensing량을 조절하여 오버플로우를 최소화합니다. * dispensing 속도: dispensing 속도를 조절하여 언더필이 균일하게 도포되도록 합니다. * 기판 온도: 기판 온도를 조절하여 언더필의 점도를 조절하고, 흐름성을 개선합니다. * 언더필 점도: 점도가 낮은 언더필을 사용하여 오버플로우를 줄일 수 있습니다. [다이싱 공정] 4) 블레이드 공정 및 평가 다이싱 블레이드 공정은 **target kerf-width (tolerance ± a)**를 기준으로 진행합니다. 광학 현미경을 통해 kerf width, chipping, crack, burning 등을 함께 평가하고 측정합니다. 측정된 값은 규정된 기준값과 비교하여 합격/불합격 판정을 내립니다. 5) One line 다이싱 시 kerf-width 및 chipping width One line 다이싱을 진행하면 DIE마다 kerf-width나 chipping width가 다를 수 있습니다. 이 경우 최대값과 최소값의 평균으로 평가하지 않고, 각각의 DIE에 대해 kerf-width와 chipping width를 측정하여 개별적으로 평가합니다. 6) 웨이퍼 EDGE와 CENTER 부분의 kerf-width 차이 일반적으로 웨이퍼 EDGE 부분의 DIE와 웨이퍼 CENTER 부분의 DIE 간의 kerf-width 차이가 심하지 않습니다. 하지만, 웨이퍼의 평탄도, 블레이드 상태, 다이싱 장비의 정밀도 등에 따라 차이가 발생할 수 있습니다. 채택률을 높이는 답변 작성 Tip: 현직자만 알 수 있는 정보를 제공하는 것도 좋은 방법입니다. 예를 들어, 특정 패키지의 언더필 공정 시 주의해야 할 점, 삼성전자에서 사용하는 다이싱 장비의 특징 등을 언급하면 답변의 신뢰도를 높일 수 있습니다. 궁금한 점이 더 있으시면 언제든지 질문해주세요. 채택 부탁 드립니다~

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